Nickelgermanosilicid lovande kontaktmaterial för mikroelektronikkomponenter

Nickelgermanosilicid kan vara ett användbart material i mikroelektronikkomponenter. Det visar Tobias Jarmar i sin avhandling, som han lägger fram vid Uppsala universitet den 8 april. Tobias Jarmar High-Resolution Studies of Silicide-films for Nano IC-Components ISBN: 91-554-6179-4 Abstract Titeln på Tobias Jarmars avhandling är Högupplösande studier av silicidfilmer för nano IC-komponenter. Han har studerat silicider, en förening mellan metall och kisel, som används inom mikro- och nanoelektroniken. Det ständiga kravet på att datorer ska bli snabbare och mobiltelefoner mindre är en stor utmaning för de företag som tillverkar komponenterna till dessa. Den pågående nedskalningen gör att de material som komponenterna består av når sina gränser för vad de kan prestera. Dessutom får vissa material andra egenskaper i små komponenter än vad de har i större komponenter. Det är därför viktigt att hitta nya materialkombinationer för att prestandaökningen ska kunna fortsätta. I sin avhandling har Tobias Jarmar koncentrerat sig på den elektriska kontakten mellan metall och kisel eller kiselgermanium. Det är viktigt att den elektriska resistansen hålls låg i övergången mellan metall och halvledare, därför introducerar man ett skikt mellan som sänker serieresistansen. Skiktet heter silicid för kisel och germanosilicid för kiselgermanium. Den vanligaste siliciden som har använts i mikroelektronikkomponenter är titansilicid. Den ger dock hög resistans i små komponenter och måste därför ersättas med en annan silicid. Tobias Jarmar har kommit fram till att nickelgermanosilicid är en bra ersättare. Den har låg elektrisk resistans även i mycket små komponenter. Nickelgermanosilicidfilmen har dock en benägenhet att lätt agglomerera, det vill säga dra ihop sig till flera diskreta områden utan fysisk kontakt, vilket leder till högre resistans. Genom att anpassa halten av germanium i nickelgermanosiliciden till halten i det underliggande kiselgermaniumet kan dock agglomeration undvikas och den låga resistansen bibehållas. Kontaktperson: Tobias Jarmar, tel 018-471 10 86, mobil: 0704-25 06 64, e-post: tobias.jarmar@angstrom.uu.se